本技术采用间接加热自发成核技术，克服了晶种法结构复杂、成本高、金刚石生长速度慢和成功率低等缺点，通过对组装结构、传压系统、设备保温保压性能和石墨柱材料结构的改进，改善了金刚石的生长条件，加上先进的成核和生长工艺控制技术，在大幅度提高金刚石生长速度的同时，确保了合成质量的提高。目前用四十分钟和五十分钟合成的0.9*1.2mm、1*1.4mm单晶，晶形为IIb型，合成质量已经基本达到细粒度（40/45）高品级单晶的水平，单次合成数量可以有效的控制在200-300粒，重复性良好，试验期间未发生裂锤现象，目前试验的进展情况验证了本技术理论的合理性和可行性。
　　受设备性能和其他条件的限制，试验无法继续进行，需要对传统设备进行改造，对顶锤几何尺寸和组装结构重新设计以进一步在保证质量的前提下生长速度。在目前的情况下，能够保证单晶的生长速度达到0.2-0.3mm/10分钟，经过对试验所得样品和相关试验数据的分析，已经有绝对把握在2-3小时内实现1.5*2.1mm、2*3mm高品级单晶的连续合成，预计试验周期在材料和设备具备条件的情况下不会超过两个月。